先进 FinFET 中的掺杂剂计量学
介观与纳米尺度物理
2011-11-21 v1
摘要
超缩放 FinFET 晶体管具有独特的、类似指纹的器件间差异，这归因于随机单杂质。本文描述了如何通过将实验数据与使用 NEMO 3-D 代码的数百万原子紧束缚模拟相关联，从而识别杂质的化学物种，并确定其浓度、局部电场以及在 Si/SiO 界面下方的深度。对激发态而非仅仅基态进行建模的能力是本分析的关键组成部分，并使得一种新的原子级杂质计量学方法得以验证。
引用
@article{arxiv.1111.4238,
title = {Dopant metrology in advanced FinFETs},
author = {G. P. Lansbergen and R. Rahman and G. C. Tettamanzi and J. Verduijn and L. C. L. Hollenberg and G. Klimeck and S. Rogge},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.4238},
year = {2011}
}
备注
6 pages, 3 figures