GaAs量子点嵌入AlAs壳结构中微观界面声子模式
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
通过微观价值力场模型，我们在由纳米尺度的GaAs量子点嵌入几层原子厚度的AlAs壳的壳状量子点(SQD)中，识别出一系列新型的微观界面声子模式。对于这种薄壳SQD，连续介质模型和宏观介电函数的基本原理已不再有效。这些微观界面模态的频率位于bulk GaAs能带与bulk AlAs能带之间的能隙中，与宏观界面声子模式不同。每个原子壳的平均振动能量和振幅在GaAs与AlAs之间界面处均显示出峰值。这些峰值随其从界面向内渗透的深度迅速衰减。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0106436,
title = {Microscopic interface phonon modes in structures of GaAs quantum dots embedded in AlAs shells},
author = {Shang-Fen Ren and G. Qin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0106436},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 4 figures