AlGaAs/GaAs 结构界面泄漏声子
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v2
摘要
已推导出两个立方晶体界面在 [001] 垂直平面上的界面波色散方程。对声学模的总数提出了合理假设，数目为 64，但并非所有模都具有界面波的物理意义。已推导出在全部 64 个色散方程根中筛选出物理分支的规则。讨论了漏出界面声子的物理意义。对 AlGaAs/GaAs 界面进行了计算，结果显示所有物理界面模均为漏出型。计算了界面波速度随界面内角度的变化。结果支持将其解释为二维电子气通过漏出界面声子进行共振散射所导致的磁阻新型振荡。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0010040,
title = {Leaky interface phonons in AlGaAs/GaAs structures},
author = {I. V. Ponomarev and A. L. Efros},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0010040},
year = {2009}
}
备注
Revtex, 16 pages, 4 figures; the section "Numerical Results" extended, Fig. 3 and Fig. 4 subsitituted the previous Fig. 3, table II added, new refferences added, some refferences removed