中文

无穷小弱无序平带中的金属-绝缘体相变

无序系统与神经网络 2021-11-24 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

我们研究了无穷小在位无序对d维全平带晶格的影响。这些晶格是由对角哈密顿量通过一系列由角度 θi{\theta}_i 参数化的 (d + 1) 次局域幺正变换生成的。不失一般性,我们考虑由有限能隙 Δ\Delta 分隔的两个平带的情况。源自平带的微扰态由一个有效的紧束缚网络描述,该网络具有有限的在位和非对角无序强度,取决于流形角度 θi{\theta}_i。原始的无穷小在位无序强度 W 仅影响有效哈密顿量的整体尺度。通过改变 d = 1 和 d = 2 的流形角度,我们发现局域化对于任何局域幺正变换的选择都持续存在,并且局域化长度可以在 θi{\theta}_i 的特定值处最大化。相反,在 d = 3 中,我们在改变全平带流形角度时发现了一个非微扰的金属-绝缘体相变。

关键词

引用

@article{arxiv.2107.11365,
  title  = {Metal-insulator transition in infinitesimally weakly disordered flatbands},
  author = {Tilen Cadez and Yeongjun Kim and Alexei Andreanov and Sergej Flach},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2107.11365},
  year   = {2021}
}

备注

5 pages, 3 figures