氮化镓中可变表面电荷浓度的测量及其对器件建模与物理学的启示
材料科学
2019-06-26 v3
摘要
我们通过先前描述的栅控范德堡实验，以及本文所述的紫外辅助栅控范德堡方法，评估了 GaN/AlGaN/GaN 异质结表面的界面陷阱态密度（Dit）。所得 Dit 值比表面施主理论所假设的低约两个数量级，比补偿 GaN 中极化表面电荷所需的值低三个数量级。先前使用多种其他技术的实验研究也报道了类似的低 Dit 值。因此我们得出结论：可变中带隙表面电荷并非二维电子气形成的原因，也无法补偿 GaN 中巨大的表面极化电荷。必须引入一种尚未解释的极化自补偿（PSC）表面电荷来解释实验。本文就所提出的 PSC 电荷的物理本质作了若干评述。
引用
@article{arxiv.1810.03101,
title = {Measurement of the variable surface charge concentration in gallium nitride and implications on device modeling and physics},
author = {E. Ber and B. Osman and D. Ritter},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.03101},
year = {2019}
}
备注
Accepted for publication in IEEE Transaction on Electron Devices