拓扑绝缘体中相位相干长度的低温饱和现象
介观与纳米尺度物理
2019-06-19 v1
摘要
将拓扑绝缘体作为量子技术中的基本单元，需要全面理解支配这些材料表面载流子的退相干机制，这些机制对依赖相位相干输运的此类技术的适用性施加了实际限制。为此，我们在机械剥离和分子束外延生长的样品中进行了磁电阻（MR）和电导涨落（CF）测量。由 MR 得到的相位破缺长度（）在低于与样品相关的特征温度时显示出饱和，与 CF 测量所得结果一致。我们系统性地排除了在拓扑绝缘体背景下可能导致 此类行为的若干因素，如有限尺寸效应、热化、自旋轨道耦合长度、自旋翻转散射以及表面-体耦合。我们的工作表明，需要寻找一种在低温下主导拓扑绝缘体退相干的替代源，它导致了相位破缺长度和时间的饱和。
引用
@article{arxiv.1904.08517,
title = {Low temperature saturation of phase coherence length in topological insulators},
author = {Saurav Islam and Semonti Bhattacharyya and Hariharan Nhalil and Mitali Banerjee and Anthony Richardella and Abhinav Kandala and Diptiman Sen and Nitin Samarth and Suja Elizabeth and Arindam Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.08517},
year = {2019}
}