通过互相关噪声谱学探测离子液体门控通道中的低频电阻涨落
介观与纳米尺度物理
2024-02-22 v1 材料科学
摘要
处于平衡态的系统会不断“探索”相空间中的邻近状态，因此，涨落可能包含平均值所不具备的信息。然而，此类测量涉及器件和测量电子学中产生的相当复杂的效应相互作用，难以分离。在本文中，我们简要分析了其中一些问题，并展示了双放大器互相关技术对于常见的半导体和薄膜的相关性。我们表明，使用成本低于 10 美元/件的自制放大器，可以测量低至 的谱密度。我们将此方法应用于离子液体门控的 Ga:ZnO 通道，并表明离子液体的玻璃化转变导致了低频电阻涨落指数的变化。我们的分析表明，涨落的德拜弛豫时间的对数正态分布以及长时标弛豫权重的增加，可以对观察到的指数变化提供半定量的解释。
引用
@article{arxiv.2402.13363,
title = {Low frequency resistance fluctuations in an ionic liquid gated channel probed by cross-correlation noise spectroscopy},
author = {Bikash C. Barik and Himadri Chakraborti and Aditya K. Jain and Buddhadeb Pal and H. E. Beere and D. A. Ritchie and K. Das Gupta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.13363},
year = {2024}
}
备注
6 pages, 5 figures, supplementary material attached. Comments are welcome