硅中自旋与谷阻塞导致的寿命增强输运
介观与纳米尺度物理
2011-11-21 v3
摘要
我们通过硅晶体管中双电子系统的输运光谱测量，报道了基于硅中垂直谷的寿命增强输运（LET）的观测。LET表现为稳定性图中一个独特的电流台阶，这是由于激发态与任何低能态之间因垂直谷（和自旋）构型而发生的禁戒跃迁，从而提供了一条额外的电流路径。通过结合详细的温度依赖性研究与速率方程模型，我们估计该特定态的寿命超过48纳秒。我们通过大规模原子级紧束缚模拟获得了器件中所有相关受限量子态的双电子自旋-谷构型。LET是硅中复杂谷物理的一个标志；这一特征在硅量子器件中变得越来越重要。
引用
@article{arxiv.1008.1381,
title = {Lifetime enhanced transport in silicon due to spin and valley blockade},
author = {G. P. Lansbergen and R. Rahman and J. Verduijn and G. C. Tettamanzi and N. Collaert and S. Biesemans and G. Klimeck and L. C. L. Hollenberg and S. Rogge},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.1381},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 4 figures. (The current version (v3) is the result of splitting up the previous version (v2), and has been completely rewritten)