Si/SiGe双量子点中的Pauli自旋阻塞和寿命增强输运
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v2
摘要
我们基于自旋阻塞和寿命增强输运(LET)分析了Si/SiGe双量子点中的电子输运数据,其中LET是通过长自旋弛豫时间实现的激发态输运。我们展示了一系列低偏压测量结果,显示电流尾部突然出现强信号,我们认为这是当偏压超过(2,0)电子态的单重态-三重态分裂时LET出现的明确标志。我们给出了八组独立数据,其中四组处于正向偏压(自旋阻塞)区域,四组处于反向偏压(寿命增强输运)区域,并表明所有八组数据都可以用一组一致的参数拟合。我们还利用包含单重态和三重态输运通道的输运速率方程,对反向偏压(LET)区域进行了详细分析。该模型还包括电子穿过量子势垒的能量依赖隧穿效应,以及共振和非弹性隧穿效应。通过这种方式,我们获得了与实验数据的极好拟合,并得到了整个反向偏压区域内隧穿速率和输运电流的定量估计。我们提供了对不同阻塞区域的物理理解,并给出了可能观测到LET的条件的详细预测。
引用
@article{arxiv.1008.5398,
title = {Pauli spin blockade and lifetime-enhanced transport in a Si/SiGe double quantum dot},
author = {C. B. Simmons and Teck Seng Koh and Nakul Shaji and Madhu Thalakulam and L. J. Klein and Hua Qin and H. Luo and D. E. Savage and M. G. Lagally and A. J. Rimberg and Robert Joynt and Robert Blick and Mark Friesen and S. N. Coppersmith and M. A. Eriksson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.5398},
year = {2015}
}
备注
published version, 18 pages