Si/SiGe 双量子点中的自旋阻塞与寿命增强输运
介观与纳米尺度物理
2008-12-12 v2
摘要
当电子因自旋守恒而无法通过量子点进入能量上有利的路径时，就会发生自旋阻塞，从而导致通过该量子点的电流被阻塞。自旋阻塞是近期自旋电子学多项进展的基础，包括对单个电子自旋的测量与操控。我们报告了在硅双量子点中对自旋阻塞区域的测量，揭示了一种互补现象：寿命增强输运。我们认为，我们的观测结果源于硅中电子自旋的衰变时间较长，使得电子在穿越量子点过程中能够保持其自旋，从而进入仅存在于某些自旋通道而不存在于其他通道中的快速路径。这种长自旋寿命对于量子计算等应用以及更广泛的自旋电子学领域具有重要意义。
引用
@article{arxiv.0708.0794,
title = {Spin blockade and lifetime-enhanced transport in a few-electron Si/SiGe double quantum dot},
author = {Nakul Shaji and C. B. Simmons and Madhu Thalakulam and Levente J. Klein and Hua Qin and H. Luo and D. E. Savage and M. G. Lagally and A. J. Rimberg and R. Joynt and M. Friesen and R. H. Blick and S. N. Coppersmith and M. A. Eriksson},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.0794},
year = {2008}
}
备注
Published version. Supplementary Information in appendices