Si-MOS 双量子点器件中带电杂质对自旋阻塞的解除
介观与纳米尺度物理
2024-02-15 v3
摘要
阻碍电门控金属-氧化物-半导体(MOS)单态-三重态量子比特发展的一个障碍是频繁缺乏观测到的自旋阻塞，即使在具有大单态-三重态能量分裂的样品中也是如此。我们给出理论和实验证据，表明 MOS 双量子点中该问题的原因是氧化物中的杂散正电荷在器件有源区附近诱导出偶然能级，从而允许自旋阻塞被解除。我们还给出证据，表明这些效应可通过器件设计修改（如交叠栅极）来缓解。
关键词
引用
@article{arxiv.1807.11064,
title = {Lifting of Spin Blockade by Charged Impurities in Si-MOS Double Quantum Dot Devices},
author = {Evelyn King and Joshua S. Schoenfield and M. J. Calderón and Belita Koiller and André Saraiva and Xuedong Hu and HongWen Jiang and Mark Friesen and S. N. Coppersmith},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.11064},
year = {2024}
}
备注
10 pages, 8 figures