利用超快光谱测量的单层 WS2 中依赖温度的谷弛豫动力学
材料科学
2014-08-06 v1
摘要
我们利用瞬态吸收光谱测量了单层 WS2 中光生谷极化的寿命。电子谷弛豫非常短（< 1ps）。然而，空穴谷寿命至少长两个数量级，并表现出无法用单载流子自旋/谷弛豫机制解释的温度依赖性。我们的理论分析表明，两个潜在过程的集体贡献可以解释单层 WS2 中的谷弛豫。一个过程涉及激子从 K 谷到 K' 谷的直接散射，并伴有自旋翻转相互作用。另一种机制涉及通过自旋简并的 Gamma 谷进行散射。由于 Gamma 谷和 K 谷之间的能垒，这第二个过程是热激活的，具有 Arrhenius 行为。
引用
@article{arxiv.1405.5141,
title = {Temperature Dependent Valley Relaxation Dynamics in Single Layer WS2 Measured Using Ultrafast Spectroscopy},
author = {Cong Mai and Yuriy G. Semenov and Andrew Barrette and Yifei Yu and Zhenghe Jin and Linyou Cao and Ki Wook Kim and Kenan Gundogdu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.5141},
year = {2014}
}