四端薄InAs-Al纳米线器件中的大零偏压峰与零偏压谷
介观与纳米尺度物理
2022-09-27 v1
摘要
我们报道了采用四端设计的薄InAs-Al混合半导体-超导体纳米线器件的电子输运研究。与先前工作相比，更细的InAs纳米线（直径小于40 nm）有望达到更少子带区域。四端器件设计排除了电极接触电阻这一未知量，而该未知量不可避免地影响了先前报道的器件电导。利用隧穿谱，我们在微分电导中发现了量级为的大零偏压峰（ZBPs）。通过扫描不同栅极电压与磁场研究ZBP演化，我们发现当零偏压电导维持在接近时，零偏压峰与零偏压谷之间发生转变。我们讨论了涉及无序、平滑势变化与准马约拉纳零模的拓扑平庸解释。
引用
@article{arxiv.2107.08282,
title = {Large zero bias peaks and dips in a four-terminal thin InAs-Al nanowire device},
author = {Huading Song and Zitong Zhang and Dong Pan and Donghao Liu and Zhaoyu Wang and Zhan Cao and Lei Liu and Lianjun Wen and Dunyuan Liao and Ran Zhuo and Dong E Liu and Runan Shang and Jianhua Zhao and Hao Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.08282},
year = {2022}
}
备注
Raw data and processing codes are available at http://doi.org/10.5281/zenodo.5111639