非马约拉纳态在超导体-半导体纳米线器件中产生近量子化电导
介观与纳米尺度物理
2021-04-28 v1 超导电性
摘要
在 InSb 纳米线/NbTiN 超导体器件中，零源漏偏压下的电导表现出接近量子化值 的峰。这些近乎量子化的共振随隧道势垒强度、磁场和磁场方向的变化方式与马约拉纳零能模一致。我们的器件在纳米线两端各有一个隧道探针，中间由一段 400 nm 长的纳米线隔开，该段被超导体覆盖。我们仅在纳米线的一端发现近乎量子化的零偏压峰，而在另一端，相同参数下观察到的是电导谷。这削弱了马约拉纳解释，因为马约拉纳模必须成对出现。我们确实在零磁场附近和较高电子密度下识别出了从一端到另一端离域的状态，这并不处于基本的马约拉纳区域。我们制定了评估亚能隙波函数非局域性的程序，并基于其局域化程度对纳米线束缚态进行了分类。
引用
@article{arxiv.2004.08583,
title = {Non-Majorana states yield nearly quantized conductance in superconductor-semiconductor nanowire devices},
author = {P. Yu and J. Chen and M. Gomanko and G. Badawy and E. P. A. M. Bakkers and K. Zuo and V. Mourik and S. M. Frolov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.08583},
year = {2021}
}
备注
Figures can be interacted with via https://mybinder.org/v2/gh/frolovgroup/Quantized-Zero-Bias-Peaks-from-trivial-states-in-Majorana-nanowire-devices/329582d89729de51f7b0177d2774bd1bc3e75e53