拓扑纳米线中衬底诱导的马约拉纳重整化

我们从理论上研究了在强隧穿耦合区与体超导体接触的纳米线中，衬底诱导的马约拉纳局域化长度重整化，明确表明该重整化强烈依赖于准一维纳米线的横向尺寸。对于金属（如 Pb 上的 Fe）或半导体（如 Nb 上的 InSb）纳米线，发现重整化效应分别很强和很弱，因为两种情形下的横向限制尺寸恰好分别为 0.5 nm（金属纳米线）和 20 nm（半导体纳米线）。因此，即使所有其他参数相同（横向线尺寸除外），金属（半导体）纳米线中的马约拉纳局域化长度也可能非常短（长）。我们还表明，在此类纳米线中，在可与诱导超导能隙相比的温度和/或能量分辨率下进行的任何隧穿电导测量，都无法区分马约拉纳模与寻常子能隙费米子态的存在，因为两者在子能隙隧穿电导中产生非常相似的宽而弱的峰，且与所涉及的局域化长度无关。只有在呈现尖锐零偏压峰的低温（和高分辨率）隧穿测量，才可被视为拓扑纳米线中马约拉纳模的特征。