半导体马约拉纳纳米线中无序及其不利效应的估计

我们利用文献中已有的输运测量，建立了一套关于半导体（InAs与InSb）材料中可能无序程度的数据集，这些材料用于制备超导-半导体纳米线样品以实验搜寻马约拉纳零模。通过在直接的马约拉纳模拟中使用所估计的无序，我们得出结论：当前半导体马约拉纳纳米线中的无序水平至少比拓扑马约拉纳零模出现所需的高一个数量级。与已有结果一致，我们发现所估计的无序导致平凡零模偶尔出现，这些零模可被后选并通过改变系统参数（如隧穿势垒）进一步微调，从而在隧穿谱中产生量级约为$\sim 2e^2/h$的平凡零偏压电导峰。然而，这些无序体系中的大多数计算隧穿谱基本不呈现显著特征，这也与当前实验状况一致，即仅在部分样品经仔细微调后偶尔发现零偏压峰。