半导体马约拉纳线中由边界效应产生的拓扑平庸零偏压电导峰
超导电性
2015-06-15 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
我们表明，在半导体 - 超导体混合纳米线中，由于异质结构末端的配对势抑制和/或过剩塞曼场（这两种情况均可能在实验中出现），会产生一个拓扑平庸的零偏压电导峰（高度为 ）。该零偏压峰（ZBP）：(a) 出现在阈值平行体塞曼场之上；(b) 在分裂前对一定范围的体场保持稳定；(c) 随体塞曼场的旋转而消失；以及 (d) 对弱无序涨落具有鲁棒性。预计来自纳米线末端的 ZBP 也会产生随外加场变化的分裂振荡，这与马约拉纳费米子产生的振荡类似。我们发现，区分这些拓扑平庸 ZBP（高度为 ）与马约拉纳费米子产生的 ZBP（高度为 ）的唯一明确方法是比较（零温）峰高和/或通过干涉实验。
引用
@article{arxiv.1303.1083,
title = {Topologically trivial zero bias conductance peak in semiconductor Majorana wires from boundary effects},
author = {Dibyendu Roy and Nilanjan Bondyopadhaya and Sumanta Tewari},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.1083},
year = {2015}
}