Joule 遇见范德瓦耳斯：拓扑绝缘体表面上的镜像势态力学耗散
介观与纳米尺度物理
2019-10-30 v1 强关联电子
摘要
在 Bi2Te3 的拓扑绝缘体表面上对耗散机制进行了实验研究，其中由于拓扑保护的表面态，常见的 Joule 耗散被观察到受到抑制。因此，通过摆式 AFM 观测到一种新型耗散机制，其与稍高于 Bi2Te3 表面的镜像势态中的单电子隧穿共振相关。施加磁场导致表面态的拓扑保护失效，并恢复了预期的 Joule 耗散过程。摆式 AFM 悬臂所经历的纳米力学能量耗散，为拓扑绝缘体表面上量子隧穿现象的耗散性质提供了新颖的信息来源。
引用
@article{arxiv.1907.08601,
title = {Joule meets van der Waals: Mechanical dissipation via image potential states on a topological insulator surface},
author = {Dilek Yildiz and Marcin Kisiel and Urs Gysin and Oguzhan Gürlü and Ernst Meyer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.08601},
year = {2019}
}