短沟道硅纳米线器件的焦耳辅助硅化
介观与纳米尺度物理
2011-10-27 v1
摘要
我们报道了一种能够电控硅纳米线器件中接触硅化过程的技术。未掺杂的硅纳米线由成对的镍电极接触，并通过焦耳效应选择性地对每个接触进行硅化。通过在接触硅化过程中实时监测纳米线电阻，我们能够制造出镍硅化物/硅/镍硅化物器件，其可控的硅沟道长度低至 8 nm。
引用
@article{arxiv.1110.5668,
title = {Joule-assisted silicidation for short-channel silicon nanowire devices},
author = {Massimo Mongillo and Panayotis Spathis and Georgios Katsaros and Pascal Gentile and Marc Sanquer and Silvano De Franceschi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.5668},
year = {2011}
}
备注
6 pages, 4 figures