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硅纳米线的非接触光电导测量

介观与纳米尺度物理 2015-05-14 v1

摘要

导电纳米线具有块体材料无法实现的显著物理性质。然而,我们对它们输运性质的理解受到电接触困难的限制。在本快报中,我们利用工作在0.3至3 GHz频率之间的超导多模谐振器,研究了块体硅和硅纳米线中的光输运。我们发现,块体硅的响应主要是耗散性的,而纳米线则表现出很大的介电极化率。该技术是非接触式的,可应用于许多其他半导体纳米线和分子。我们的方法还允许研究块体硅中电子输运与表面声波的耦合,以及纳米线中的电机械共振。

关键词

引用

@article{arxiv.0909.4401,
  title  = {Contactless photoconductivity measurements on (Si) nanowires},
  author = {A. D. Chepelianskii and F. Chiodi and M. Ferrier and S. Gueron and E. Rouviere and H. Bouchiat},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0909.4401},
  year   = {2015}
}