利用超导 transmon 量子比特研究 SiGe 的微波损耗
介观与纳米尺度物理
2021-04-07 v1 量子物理
摘要
硅锗（SiGe）是一种具有从晶体管到电光调制器和量子点等多种应用的材料。SiGe 的多样特性也使其对涉及超导量子计算的实现具有吸引力。在此我们展示了在 SiGe 层上制备 transmon 量子比特，并研究 SiGe 在低温和单光子微波功率下的微波损耗特性。我们发现弛豫时间长达 100 s，对应于大焊盘 transmon 的品质因数 Q 超过 4 M。所获得的高 Q 值表明 SiGe/Si 异质结构与最先进的超导量子电路性能兼容。
引用
@article{arxiv.2103.03747,
title = {Investigating microwave loss of SiGe using superconducting transmon qubits},
author = {Martin Sandberg and Vivekananda P. Adiga and Markus Brink and Cihan Kurter and Conal Murray and Marinus Hopstaken and John Bruley and Jason Orcutt and Hanhee Paik},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.03747},
year = {2021}
}
备注
5 pages, 3 figures