基于铜-菲并茚自由基的磁性隧道结中界面辅助的室温磁电阻
材料科学
2022-09-13 v1
摘要
具有未配对自旋的离域碳基自由基物种，如菲并茚（PLY）自由基，为开发多功能有机自旋电子器件开辟了途径。本文提出一种基于三维阴影掩模与原位沉积的新技术，制备了基于 PLY、Cu-PLY 和 Zn-PLY 的有机磁性隧道结（OMTJs），其面积为 3×8 μm² 且形貌改善。在结构与尺寸优化的 OMTJs 中，非线性且弱温度依赖的电流-电压（I-V）特性结合较低的有机势垒高度，表明隧穿是主导输运机制。Cu-PLY 基 OMTJs 由于在金属-分子界面形成称为自旋界面的杂化态，在室温下显示出高达 14% 的显著磁电阻，这揭示了自旋依赖的界面修饰在 OMTJs 设计中的重要性。特别地，Cu-PLY OMTJs 表现出稳定的电压驱动阻变响应，表明其可用作构建分子尺度量子忆阻器与处理器的新的可行且可扩展平台。
引用
@article{arxiv.2209.05073,
title = {Interface-Assisted Room-Temperature Magnetoresistance in Cu-Phenalenyl-based Magnetic Tunnel Junctions},
author = {Neha Jha and Anand Paryar and Tahereh Sadat Parvini and Christian Denker and Pavan K. Vardhanapu and Gonela Vijaykumar and Arne Ahrens and Michael Seibt and Jagadeesh S. Moodera and Swadhin K. Mandal and Markus Münzenberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.05073},
year = {2022}
}
备注
12 pages, 4 figures, plus supplementary materials