一维导体中相互作用诱导的拓扑保护
介观与纳米尺度物理
2019-02-19 v1
摘要
我们讨论两个一维模型系统——第一个是具有Ising各向异性的单通道量子线，第二个是两个耦合的螺旋边缘态。我们证明两个模型受相同的低能有效场论支配，且相互作用驱动两个系统展现金属相，但所有单粒子激发均有能隙。我们证明此类态可能是拓扑的或平庸的；在前一种情况，系统展示无能隙端态，以及对无序不敏感。
引用
@article{arxiv.1605.06058,
title = {Interaction induced topological protection in one-dimensional conductors},
author = {Nikolaos Kainaris and Raul A. Santos and D. B. Gutman and Sam T. Carr},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.06058},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 8 figures