一维半填充具有吸引在位相互作用的SU(N) Hubbard模型的绝缘电荷密度波

我们利用密度矩阵重整化群方法和微扰理论，研究了在二分格点上、半填充且具有吸引在位相互作用及$N>2$的一维SU(N) Hubbard模型。我们发现该SU(N) Hubbard模型的基态是具有二重简并的电荷密度波态。与SU(2)情形相反，所有激发均存在能隙，导致绝缘基态。此外，电荷隙等于Cooperon隙，在强耦合区其行为为$-2Nt^2/(N-1)U$。然而，自旋隙$\Delta_{s}$和准粒子隙$\Delta_{1}$在弱耦合区呈指数打开，而在强耦合区则线性依赖于$U$，使得$\Delta_{s}\sim -U(N-1)$和$\Delta_{1}\sim -U(N-1)/2$。