激子效应对硅发光量子产率的影响
材料科学
2016-12-21 v1
摘要
通过比较体少数载流子寿命随掺杂和激发水平变化的实验曲线与理论曲线，确定了硅中的非辐射激子寿命。利用该值，在同时考虑非辐射和辐射激子寿命的情况下，分析了室温下激子效应对内部发光量子产率的影响。研究发现了一系列 Shockley-Hall-Reed 寿命范围，在其中激子效应导致内部发光量子产率增加。
引用
@article{arxiv.1608.03848,
title = {Influence of excitonic effects on luminescence quantum yield in silicon},
author = {A. V. Sachenko and V. P. Kostylyov and V. M. Vlasyuk and I. O. Sokolovskyi and M. Evstigneev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.03848},
year = {2016}
}