磁性拓扑绝缘体中由平面场诱导的量子纵向导电性
介观与纳米尺度物理
2025-11-10 v1
摘要
我们报告了在三层磁性拓扑绝缘体中发现的一种平面量子化 (IPQ) 状态，特点是受强平面磁场作用下纵向导电性达到 e2/h 量子化。该状态在分离由场角和方向调谐的量子异常 Hall 相之间的量子临界点处出现，明确将 gap 闭合行为与量子化临界性直接关联。温度和栅极依赖的传输测量，配合自洽近似模型，揭示了在该 regimes 中电子空穴浑浊主导电荷传输，凸显了杂质无序在稳定量子临界传输中的关键作用。这些发现建立了一种可调的实验框架，将 gap 闭合物理与普适导电性相连接，为磁性拓扑绝缘体中的临界传输提供了微观见解，并为探索拓扑系统中的量子临界性提供了稳健平台。
关键词
引用
@article{arxiv.2511.04879,
title = {In-Plane Field induced Quantized Longitudinal Conductivity in Magnetic Topological Insulators},
author = {Ting-Hsun Yang and Yaochen Li and Peng Zhang and Penghao Zhu and Hung-Yu Yang and Eun Sang Choi and Kaiwei Chen and Wenqiang Cui and Kin Wong and Peng Deng and Gang Qiu and Kang L. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.04879},
year = {2025}
}