未掺杂与掺杂的区域规整聚(3-己基噻吩)的阻抗测量
材料科学
2020-12-18 v1 应用物理
摘要
通过 40 Hz 至 100 MHz 的阻抗测量表征了区域规整聚(3-己基噻吩)的半导体性质。X 射线衍射显示出有序区与无序区并存。通过 Nyquist 图对阻抗数据的分析显示两个半圆弧，且其尺寸随直流偏压而减小。此外，光与化学掺杂引起的载流子变化改变了圆弧的形状与尺寸。对数据与等效电路的拟合表明，随着载流子密度增加，电阻、电容和恒相位元件参数发生显著变化。载流子密度的增加降低了有序区的弛豫时间，而对无序区影响不大。
引用
@article{arxiv.2012.09524,
title = {Impedance measurements in undoped and doped regioregular poly(3-hexylthiophene)},
author = {Sougata Mandal and Reghu Menon},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.09524},
year = {2020}
}
备注
13 pages with 10 figures; published in Journal of Physics D: Applied Physics