用于受激微波发射的碳化硅中自旋缺陷的高效光泵浦
材料科学
2018-05-09 v1
摘要
我们研究碳化硅中与硅空位相关的自旋的光泵浦效率。对于插入到谐振频率为 9.4 GHz 的微波腔中的晶体，在室温下实现了 75 的自旋布居数反转因子，饱和光泵浦功率约为 350 mW。在低温下，由于超过一分钟的极长自旋-晶格弛豫时间，泵浦效率急剧增加。基于实验结果，我们找到了碳化硅脉泽可在连续波模式下运行并用作量子微波放大器工作的现实条件。
引用
@article{arxiv.1709.00052,
title = {Highly efficient optical pumping of spin defects in silicon carbide for stimulated microwave emission},
author = {M. Fischer and A. Sperlich and H. Kraus and T. Ohshima and G. V. Astakhov and V. Dyakonov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.00052},
year = {2018}
}
备注
8 pages, 6 figures