拓扑电路中的高阶手性与非厄米趋边效应

尽管在传统晶格系统中手性不平衡是被禁止的，但非厄米性可有效规避手性倍增定理，从而促进一维手性动力学。事实上，此类系统支持不平衡的单向流，导致大量态在边界局域化，即所谓的非厄米趋边效应（NHSE）。近来，在晶体系统中引入了一种广义（二阶）手性，描述具有色散关系 $\omega=k_{x}k_{y}$ 的二维鲁棒无能隙模式。本文证明，在非厄米（NH）晶格系统中可建立二阶手性不平衡，从而导致动量分辨的手性动力学，以及一种二阶 NHSE，其中同时存在边局域和角局域的趋边模式。随后，我们在一个实现具有长寿命二阶手性模式的 NH 哈密顿量的二维拓扑电路中对这一现象进行了实验验证。利用阻抗测量，我们确认了该系统内的二阶 NHSE，及其在预言的趋边模式与高度反常的动量-位置锁定响应中的表现。我们的研究展示了一种基于电路探索高阶手性物理的路径，在需要动量分辨的系统中具有潜在应用，例如波束赋形器与非互易器件。