单层FeSe中的高阶拓扑
介观与纳米尺度物理
2021-07-14 v1
摘要
通常，二维二阶拓扑绝缘体（2D SOTI）中的拓扑角态等价于著名的畴壁态，源于具有π相位差的两个相邻边缘之间的质量反演。在这项工作中，超越这一传统物理图像，我们通过解析模型和第一性原理计算，报道了具有倾斜棋盘反铁磁（AFM）序的单层FeSe中由分数质量扭结诱导的2D SOTI。与倾斜自旋相关的面内塞曼场可以打开FeSe的量子自旋霍尔边缘态的能隙，在矩形角处形成具有π/2相位差的分数质量扭结，并产生具有e/4分数电荷的带隙内拓扑角态。此外，拓扑角态对局域扰动具有鲁棒性，存在于自然和非自然解理角中，与边缘取向无关。我们的结果不仅展示了一个实现独特2D AFM SOTI的材料体系，而且为从具有任意相位差的分数质量扭结设计高阶拓扑态铺平了新道路，有望引起直接的实验关注。
引用
@article{arxiv.2107.05910,
title = {Higher-Order Topology in Monolayer FeSe},
author = {Gan Zhao and Haimen Mu and Huimin Zhang and Z. F. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.05910},
year = {2021}
}
备注
13 pages, 3 figures