高根拓扑边缘态能带
介观与纳米尺度物理
2025-08-19 v1 强关联电子
摘要
本文对一维(1D)方形和高根拓扑绝缘体(HRTI)的复杂能带进行分析。我们表明，HRTI的边缘态能带是均匀紧致链上杂质能带的切片。基于无限HRTI中边缘态能带的存在以及边界条件所施加的限制，对HRTI的广义边界条件下的拓扑特征进行了简化表征。我们展示，有限或准无限1D HRTI的边缘态是无限系统的退渝态子集，并映射到均匀链上带有效能级相关边缘势的杂质态上。后者结果允许在无需对实空间或bulk哈密顿量进行对角化的情况下确定边缘态水平。
引用
@article{arxiv.2508.12066,
title = {High-root topological edge-state bands},
author = {R. G. Dias and L. Madail and A. M. Marques},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.12066},
year = {2025}
}
备注
16 pages, 7 figures