使用 As 二聚体生长的高品质 GaMnAs 薄膜
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
我们表明，使用 As2 生长的 GaMnAs 薄膜具有优异的结构、电学和磁学性质，与使用 As4 生长的类似薄膜相当或更佳。采用 As2 可实现 112K 的铁磁临界温度，略高于目前报告的最佳值。更重要的是，使用 As2 生长的薄膜在更宽的范围的 Mn 浓度 (从 1.5% 到 8%) 下表现出金属导电性，而使用 As4 生长的薄膜仅报告了较窄的浓度范围。采用 As2 生长的薄膜性能提升主要归因于所使用的低生长温度下反位缺陷浓度较低。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0211698,
title = {High quality GaMnAs films grown with As dimers},
author = {RP Campion and KW Edmonds and LX Zhao and KY Wang and CT Foxon and BL Gallagher and CR Staddon},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0211698},
year = {2009}
}
备注
8 pages, accepted for publication in J. Crystal Growth