通过缺陷竞争外延生长高纯半绝缘4H-SiC外延层
材料科学
2015-05-27 v1
摘要
我们在Si面4H-SiC上系统地生长了厚的高纯半绝缘同质外延层，通过在生长过程中保持高C/Si比（1.3-15），电阻率≥10^9 Ω·cm。比较在C/Si比<1.3下生长的低掺杂外延层与在C/Si比>1.3下生长的半绝缘外延层的二次离子质谱，发现残余杂质浓度几乎没有差异。将杂质浓度与实测电阻率进行协调表明，仅在半绝缘外延层中存在浓度约为10^15 cm^-3的补偿陷阱。高分辨率光致瞬态光谱将其识别为与硅空位相关的深能级中心，未检测到EH6/7和Z1/2能级。约5 ns的复合寿命表明其在快速开关功率器件中的应用潜力。
引用
@article{arxiv.1104.4509,
title = {High purity semi-insulating 4H-SiC epitaxial layers by Defect-Competition Epitaxy},
author = {MVS Chandrashekhar and Iftekhar Chowdhury and P. Kaminski and R. Kozlowski and P. B. Klein and Tangali Sudarshan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.4509},
year = {2015}
}
备注
Submitted to Applied Physics Letters