高阶耦合簇方法(CCM)形式体系 3: 有限尺寸CCM
强关联电子
2010-02-24 v1
摘要
高阶CCM的最新进展是将现有形式体系和代码扩展到自旋的基态和激发态,并独立地扩展到适用于广泛单体和二体自旋算符的“广义”期望值。CCM的一个优点是Goldstone链接簇定理在所有近似水平上都成立,因此它从一开始就提供了无限晶格极限下的结果。然而,最近的结果也表明,通过识别通常Néel模型态下CCM方程的特殊解,CCM可以为Majumdar-Ghosh点处的自旋一半线性链--提供精确的(对称性破缺)结果。有趣的是,对于当连接小磁簇的键趋于零时这些小磁簇彼此退耦合的系统,CCM提供了精确的(非对称性破缺)结果。这些精确结果涉及识别Néel态下CCM方程的“特殊解”。一个例子是自旋一半系统,其最近邻键对应的底层晶格与磁性材料CaVO (CAVO)相同,其中晶格上两种不同类型键中的一种趋于零。通过适当选择单胞及其上的键,可以考虑更大的有限尺寸系统。我们在此表明,对于具有周期性边界条件、长度达N=12个格点(s=1/2)和N=6个格点(s=1)的链上的自旋一半和自旋一线性Heisenberg模型,通过这种“蛮力”方法(即不使用有限晶格的任何平移或点群对称性),使用高阶CCM可以精确重现其基态能量和激发能隙的精确对角化结果。
引用
@article{arxiv.1002.4396,
title = {High-Order Coupled Cluster Method (CCM) Formalism 3: Finite-Size CCM},
author = {D. J. J. Farnell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.4396},
year = {2010}
}