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Si(111)-($\sqrt{7}\times\sqrt{3})$ 上的六角形铟双层

材料科学 2015-08-05 v1

摘要

利用密度泛函计算验证了六角形 In/Si(111)-(7×3\sqrt{7}\times\sqrt{3}) 表面的原子结构,该表面被认为代表了金属 In 覆盖层的终极二维 (2D) 极限。与普遍假设相反,该表面并非由单层组成,而是由 In 原子双层组成,这对应于在 Si(111)-(7×3\sqrt{7}\times\sqrt{3}) 上形成的既定矩形 In 双层的六角形变形 [Park etet alal., Phys. Rev. Lett. 109, 166102 (2012)]。相同的双层厚度很好地解释了六角形相和矩形相的典型共存及其相似的二维电子结构。因此可以得出结论,无论是矩形还是六角形,In/Si(111)-(7×3\sqrt{7}\times\sqrt{3}) 表面并不代表单原子厚度的 In 覆盖层。

关键词

引用

@article{arxiv.1503.06546,
  title  = {Hexagonal Indium Double Layer on Si(111)-($\sqrt{7}\times\sqrt{3})$},
  author = {Jae Whan Park and Myung Ho Kang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1503.06546},
  year   = {2015}
}

备注

5 pages, 4 figures, preprint version (2015 MAR)