通过表面 X 射线衍射确定铟诱导 Si(111)-(4x1) 重构的结构
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
通过分析用单色（ = 9.1 keV）同步辐射记录的大量 X 射线衍射数据集，确定了铟诱导 Si(111)-(4x1) 表面重构的详细结构模型。该重构是准一维的。结构的主要特征是在基本未受扰动的硅晶格之上，硅原子链与铟原子之字形链交替排列。铟覆盖度对应一个单原子层。该结构模型一致地解释了所有已发表的实验数据。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9909286,
title = {Structure determination of the indium-induced Si(111)-(4x1) reconstruction by surface x-ray diffraction},
author = {O. Bunk and G. Falkenberg and J. H. Zeysing and L. Lottermoser and R. L. Johnson and M. Nielsen and F. Berg-Rasmussen and J. Baker and R. Feidenhans'l},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9909286},
year = {2009}
}
备注
RevTeX, 5 pages including 3 figures