In/Si(111) 原子线阵列中局域相缺陷的双重性质：杂质与短拓扑孤子
材料科学
2020-12-02 v1 斑图形成与孤子
计算物理
摘要
我们证明了在准一维电荷密度波系统——Si(111) 上的铟原子线——中存在原子尺度的拓扑孤子。通过联合扫描隧道显微镜与密度泛函计算，我们表明 Si(111)-(8x2)In 表面具有两种概念上不同的突变相翻转结构。一种由 In 吸附原子引起，因此在性质上非孤子。另一种为突变的左手性孤子。
引用
@article{arxiv.2012.00604,
title = {Dual nature of localized phase defects in the In/Si(111) atomic wire array: impurities and short topological solitons},
author = {Abdus Samad Razzaq and Sun Kyu Song and Tae-Hwan Kim and Han Woong Yeom and Stefan Wippermann},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.00604},
year = {2020}
}