Si(111) 表面铟链中拓扑孤子的原子结构、能量学与动力学
介观与纳米尺度物理
2011-04-13 v3
摘要
基于扫描隧道显微镜和第一性原理理论研究，我们表征了生长在 Si(111) 表面上的 In 链中拓扑孤子的精确原子结构。对孤子布居数的变温测量使我们能够确定孤子形成能约为 60 meV，小于约 200 meV 带隙的一半。一旦产生，这些孤子的迁移率极低，尽管其激活能仅约为 20 meV；这种迟滞特性归因于孤子迁移的极低尝试频率。我们进一步展示了局域电场增强的孤子动力学。
关键词
引用
@article{arxiv.1009.1088,
title = {Atomic structure, energetics, and dynamics of topological solitons in Indium chains on Si(111) surfaces},
author = {Hui Zhang and Jin-Ho Choi and Yang Xu and Xiuxia Wang and Xiaofang Zhai and Bing Wang and Changgan Zeng and Jun-Hyung Cho and Zhenyu Zhang and J. G. Hou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.1088},
year = {2011}
}
备注
5 pages, 3 figures