基于 Au:Sn 共晶键合的植入式器件气密芯片级封装
材料科学
2021-09-01 v1 医学物理
摘要
植入式器件在微型化及新功能方面的进展，迫切需要开发紧凑、气密且与 CMOS 兼容的微封装方法。金锡基共晶键合有望在低于 350°C 的工艺温度下实现小占位面积且对湿气渗透率低的密封。本文详细描述了一种通过商用溶液顺序电镀沉积金锡共晶合金框架的方法，无需特殊制备工艺。键合质量通过剪切力测量、扫描电子显微镜、目视检查和浸没测试进行表征。评估了密封几何形状、焊料厚度和键合工艺参数，并对键合层对人成纤维细胞的毒性进行了评估。在键合良率超过 70% 且无细胞毒性效应的情况下，AuSn 共晶键合似乎是保护植入式应用中集成电路的合适方法。
引用
@article{arxiv.2105.13156,
title = {Hermetic chip-scale packaging using Au:Sn eutectic bonding for implantable devices},
author = {Katarzyna M. Szostak and Meysam Keshavarz and Timothy G. Constandinou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.13156},
year = {2021}
}
备注
16 pages, 12 figures, paper submitted to Journal of Micromechanics and Microengineering