通过二重简并准导模态生成多个守界态

我们对二维介质球阵列中多个守界态（BIC）的特殊生成进行了详尽的理论分析。它们在具有 $C_{6v}$ 和 $C_{4v}$ 点群的高对称性晶格中出现，涉及可耦合到外部辐射的 $\Gamma$ 点上的二重简并准导模态。通过调节系统参数，这些二重简并模态可在临界参数处 exhibits 偶然守界态。在临界参数附近，源自该简并模态的两个能带显示出多个离 $\Gamma$ 守界态。它们通过改变参数在临界值附近的变化，在两个能带中移动并消亡。特别地，在 $C_{6v}$ 情况下，出现一条围绕多个守界态的高 $Q$ 通道。跨越临界耦合，多个守界态的总旋性得以守恒。$\vb*{k}\cdot\vb*{p}$ 扰动理论能较好地解释现象的某些特征。