在全电介质超表面中定制偶然双重连续域束缚态

连续域束缚态（BICs）因其形式上的发散品质因子而得到深入研究，尤其是那些在全电介质纳米结构超表面中由 $\Gamma$ 点（面内波矢 $k_{||}=0$）处的对称性保护所涌现的 BICs。而对于可能出现在支撑模式能带结构中任意其他 $k_{||}\not =0$ 处的偶然 BICs 关注较少，其又难以预测。本文利用耦合电/磁偶极子模型，确定偶然 BICs 涌现的解析条件，该条件适用于任何可由偶极共振描述的平面元原子阵列，光学域中的许多纳米结构即属此类。针对全电介质纳米球，我们通过显式解析条件进行探究，从而能够在参数空间 $(\omega,\bf{k_{||}})$ 中预测偶然 BICs 的位置。最后，利用这些条件不仅确定单个、而且确定双重（针对两种线偏振）偶然 BICs，它们在实际半导体纳米盘元原子的色散关系 $\omega-\bf{k_{||}}$ 中发生于同一位置。这可能为在纳米尺度上一系列 BIC 增强的光与物质相互作用现象（如激光或非线性转换）铺平道路，此类现象受益于在偏离 $\Gamma$ 点（非正入射）的波矢处涌现且对两种线偏振重叠。