纳米锐利电子发射体的隧穿势垒一般形式
介观与纳米尺度物理
2023-03-20 v4
摘要
来自纳米尺度物体的场电子发射偏离经典发射理论的预测，因为隧穿区域内的静电势发生弯曲，且镜像势偏离平面情形。这促使在势垒中加入额外的修正项。在类针尖旋转对称表面的顶端，这些项正比于（单一）局部发射体曲率。本文推广了这一关系，表明对于任意发射体几何，修正项的系数由平均曲率给出，即两个主曲率的平均值。
引用
@article{arxiv.2207.06263,
title = {General form of the tunnelling barrier for nanometrically sharp electron emitters},
author = {Andreas Kyritsakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.06263},
year = {2023}
}