通用光滑场发射体的阳极邻近效应

阳极与弯曲场电子发射体的邻近会改变其顶端及其邻域处的电场。利用线电荷模型，在阳极距阴极平面距离为 $D$ 时，推导了通用光滑发射体的顶端场增强因子 $\gamma_a(D)$ 的公式。所得近似模块化形式使得阳极邻近贡献可单独计算（利用诸如阳极-阴极距离 $D$、发射体高度 $h$ 与发射体顶端曲率半径 $R_a$ 等几何量）并代入 $\gamma_a(\infty)$ 的表达式中。研究还表明，发射体近顶端表面上的增强因子变化不受阳极存在的影响，并继续服从广义余弦定律。这些结果通过 COMSOL Multiphysics 针对多种通用发射体形状进行了数值验证。最后，将该理论应用于解释关于 $I-V$ 场发射曲线标度行为的实验观测。