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场增强因子的普适公式

应用物理 2018-05-24 v1 介观与纳米尺度物理 等离子体物理

摘要

场增强因子(FEF)是场发射计算中的一个重要量,因为隧穿电子电流对其大小极为敏感。FEF对发射体高度hh、顶端曲率半径RaR_a以及发射体基底形状的精确依赖关系在很大程度上仍属未知。本文推导了场增强因子的一个普适公式。它依赖于比值h/Rah/R_a,形式为γa=(2h/Ra)/[α1log(4h/Ra)α2]\gamma_a = (2h/R_a)/[\alpha_1 \log(4h/R_a) - \alpha_2 ],其中α1\alpha_1α2\alpha_2取决于发射体上的电荷分布。数值结果表明,更简单的形式γa=(2h/Ra)/[log(4h/Ra)α]\gamma_a = (2h/R_a)/[\log(4h/R_a) - \alpha]同样有效,其中α\alpha取决于发射体类别并表征基底的屏蔽效应。对于双曲面、圆锥和椭球发射体,α\alpha值分别为0,0.880, 0.8822;而对于屏蔽最小的圆柱基底,α2.6\alpha \simeq 2.6

关键词

引用

@article{arxiv.1801.09990,
  title  = {A universal formula for the field enhancement factor},
  author = {Debabrata Biswas},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1801.09990},
  year   = {2018}
}