石墨烯增强InP纳米晶体的场发射
介观与纳米尺度物理
2017-12-29 v1
摘要
我们报道了在p-Si纳米尖阵列上外延生长的InP纳米晶体的场发射观察。我们证明用石墨烯覆盖InP纳米晶体可增强场发射。测量在扫描电子显微镜腔体内进行，使用纳米控制的W丝作为阳极。我们通过Fowler-Nordheim理论分析场发射，发现场增强因子随阳极与阴极间距单调增加。我们还表明InP/p-Si结具有整流行为，而InP上的石墨烯形成欧姆接触。理解此类纳米结的基本原理对纳米电子学应用至关重要。
引用
@article{arxiv.1708.01877,
title = {Graphene enhanced field emission from InP nanocrystals},
author = {L. Iemmo and A. Di Bartolomeo and F. Giubileo and G. Luongo and M. Passacantando and G. Niu and F. Hatami and O. Skibitzki and T. Schroeder},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.01877},
year = {2017}
}
备注
7 pages, 3 figures