平带哈伯德模型中畴壁基态之上的无能隙激发
强关联电子
2007-05-23 v4 统计力学
数学物理
math.MP
摘要
我们在任意维度的变形平带哈伯德模型中构造了一组具有局域铁磁畴壁和扩展螺旋结构的精确基态。我们证明了在固定磁化子空间中,半填充最低带的基态是唯一的。在开边界条件下,具有这些结构的基态与全自旋向上或全自旋向下态简并。我们用局域电子数密度表示自旋单点函数,并在我们的模型中找到了畴壁结构。我们证明了在高于一维的维度中,畴壁基态之上存在无能隙激发。另一方面,在周期性边界条件下,基态是全自旋向上或全自旋向下态。我们表明,由于各向异性,全自旋向上或向下态之上的自旋波激发具有能隙。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0405388,
title = {Gapless Excitation above a Domain Wall Ground State in a Flat Band Hubbard Model},
author = {Makoto Homma and Chigak Itoi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0405388},
year = {2007}
}
备注
26 pages, 1 figure. Typos are fixed