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稀薄GaAs空穴层之间的隧穿

介观与纳米尺度物理 2009-11-13 v2

摘要

我们报告了极稀薄二维GaAs空穴层之间的层间隧穿测量结果。令人惊讶的是,隧穿谱的形状和温度依赖性可以用基于费米液体的隧穿模型来解释,但其峰值振幅远大于根据现有空穴能带参数所预期的值。作为平行磁场函数的数据揭示了额外的反常特征,包括在极大场下零偏压隧穿峰的再现。在垂直磁场中,我们在总填充因子 νT=1\nu_T=1 处观察到一个稳健且狭窄的隧穿峰,标志着双层量子霍尔铁磁体的形成。

关键词

引用

@article{arxiv.0706.1268,
  title  = {Tunneling between Dilute GaAs Hole Layers},
  author = {S. Misra and N. C. Bishop and E. Tutuc and M. Shayegan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0706.1268},
  year   = {2009}
}

评论

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