稀薄GaAs空穴层之间的隧穿
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v2
摘要
我们报告了极稀薄二维GaAs空穴层之间的层间隧穿测量结果。令人惊讶的是,隧穿谱的形状和温度依赖性可以用基于费米液体的隧穿模型来解释,但其峰值振幅远大于根据现有空穴能带参数所预期的值。作为平行磁场函数的数据揭示了额外的反常特征,包括在极大场下零偏压隧穿峰的再现。在垂直磁场中,我们在总填充因子 处观察到一个稳健且狭窄的隧穿峰,标志着双层量子霍尔铁磁体的形成。
引用
@article{arxiv.0706.1268,
title = {Tunneling between Dilute GaAs Hole Layers},
author = {S. Misra and N. C. Bishop and E. Tutuc and M. Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:0706.1268},
year = {2009}
}
评论
Revised to include additional data, new discussions