全过热单电子晶体管
介观与纳米尺度物理
2010-09-03 v1
摘要
我们考虑了全过热单电子晶体管，其热平衡完全由电子转移决定。我们发现了三种不同的输运区域，分别对应于共隧穿、单电子隧穿以及两者之间的竞争。我们发现，在后两种区域之间的交叉处，对温度涨落存在异常敏感性，这表现为电流噪声中异常大的Fano因子。
引用
@article{arxiv.0912.2832,
title = {Fully Overheated Single-Electron Transistor},
author = {M. A. Laakso and T. T. Heikkilä and Yuli V. Nazarov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.2832},
year = {2010}
}
备注
6 pages, 3 figures, includes Appendix