弱至强磁场下双原子分子的全数值电子结构计算
化学物理
2020-02-12 v2 计算物理
摘要
我们采用近期开发的有限元程序 HelFEM 的修改版本，在非限制 Hartree-Fock 极限下，对暴露于外磁场中的双原子分子进行了全数值电子结构计算。我们以平行于分子轴的外磁场强度为变量，对 H2、HeH+、LiH、BeH+、BH 和 CH+ 的若干低能态进行了基准计算。所采用磁场范围为 原子单位，其中 T。我们将全数值计算结果与采用 LONDON 程序、使用取自 Dunning aug-cc-pVTZ 基组指数的大型非收缩含规范笛卡尔高斯（GICG）基组所得结果进行了比较。通过与全数值结果对比，我们发现含规范高斯基组中的基组截断误差在零场下约为 1 kcal/mol 量级，且随磁场强度增加迅速增大，在 处最大基组截断误差超过 1000 kcal/mol。在更大高斯基组中的研究表明，只要在基组中充分包含高角动量函数，便可在强于 的磁场下于 GICG 基组中取得可靠结果。
引用
@article{arxiv.1812.06274,
title = {Fully numerical electronic structure calculations on diatomic molecules in weak to strong magnetic fields},
author = {Susi Lehtola and Maria Dimitrova and Dage Sundholm},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.06274},
year = {2020}
}
备注
21 pages and 2 figures, and a further 18 pages and 16 figures of supporting information