从原子层到块体：SnTe 薄膜的低温原子结构、铁电与电子性质
介观与纳米尺度物理
2019-04-24 v1
摘要
SnTe 具有与其弱非平庸能带拓扑相竞争的铁电性：在高对称性岩盐结构中——其本征电偶极被淬灭——该材料发展出金属表面能带，但在其斜方基态构型中——具有非零自发电偶极——晶体对称性降低，且表面电子能带的存在无法保证。本文在逐步添加原子层的外延自由站立样品上，考察了厚度从 2 到 40 原子层（ALs）的 SnTe 薄膜的铁电耦合类型以及原子与电子结构。4 原子层的 SnTe 薄膜呈反铁电耦合，而更厚的自由站立 SnTe 薄膜呈铁电耦合。电子带隙从 2 原子层到 40 原子层幅度减小，但由于结构的斜方性质而未闭合。这些结果将 SnTe 薄膜从单层到块体的结构联系起来。
引用
@article{arxiv.1904.01702,
title = {From atomic layer to the bulk: low-temperature atomistic structure, ferroelectric and electronic properties of SnTe films},
author = {Thaneshwor P. Kaloni and Kai Chang and Brandon J. Miller and Qi-Kun Xue and Xi Chen and Shuai-Hua Ji and Stuart S. P. Parkin and Salvador Barraza-Lopez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.01702},
year = {2019}
}